DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 6.5 A 1.58 W, 6-Pin UDFN

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RS Best.-Nr.:
222-2878
Herst. Teile-Nr.:
DMT6030LFCL-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

DMT

Gehäusegröße

UDFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

25mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.1nC

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

1.58W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

1.6mm

Höhe

1.6mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

0.575 mm

Automobilstandard

Nein

Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Leiterplatten-Abmessung von 2,56 mm2

Vollständig bleifrei und vollständig RoHS-konform

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