DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 16.1 A 2.16 W, 8-Pin DMT64M8LCG-7 VDFN

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Herst. Teile-Nr.:
DMT64M8LCG-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

16.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

VDFN

Serie

DMT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2.16W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

47.5nC

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.3mm

Höhe

3.3mm

Breite

0.8 mm

Automobilstandard

Nein

Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um RDS(ON) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung zu gewährleisten. Dieses Gerät ist ideal für den Einsatz in der Batterie- und Lastschaltung von Notebooks.

Hohe Effizienz bei der Wandlung

Niedriger RDS(ON) – minimiert Verluste im eingeschalteten Zustand

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

ESD-geschütztes Gate

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