DiodesZetex DMT N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 16.1 A 2.16 W, 8-Pin VDFN
- RS Best.-Nr.:
- 222-2881
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT64M8LCG-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- RS Best.-Nr.:
- 222-2881
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT64M8LCG-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | DMT | |
| Gehäusegröße | VDFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 47.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.16W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 0.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.3mm | |
| Höhe | 3.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie DMT | ||
Gehäusegröße VDFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 47.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.16W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 0.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.3mm | ||
Höhe 3.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um RDS(ON) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung zu gewährleisten. Dieses Gerät ist ideal für den Einsatz in der Batterie- und Lastschaltung von Notebooks.
Hohe Effizienz bei der Wandlung
Niedriger RDS(ON) – minimiert Verluste im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
ESD-geschütztes Gate
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