Teile-Nr.

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 9.3 A 100 W, 3-Pin AUIRFR4292TRL TO-252

RS Best.-Nr.:: 222-4614
Herst. Teile-Nr.:: AUIRFR4292TRL
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 9.3 A 100 W, 3-Pin AUIRFR4292TRL TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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100 - 240	CHF.1.68	CHF.16.76
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RS Best.-Nr.:: 222-4614
Herst. Teile-Nr.:: AUIRFR4292TRL
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	9.3A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	250V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	345mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	13nC
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Verlustleistung Pd	100W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	6.22mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	6.73 mm
	Höhe	2.39mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.3A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 250V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 345mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Verlustleistung Pd 100W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 6.22mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 6.73 mm
	Höhe 2.39mm
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - AUIRFR4292TRL

Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieses Designs sind eine Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte wiederholte Lawineneinstufung. Diese Merkmale machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in Kfz-Anwendungen und einer Vielzahl anderer Anwendungen.

Advanced Prozesstechnologie

Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten

Bleifrei, RoHS-konform

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 9.3 A 100 W, 3-Pin AUIRFR4292TRL TO-252

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