Infineon OptiMOS-TM3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 114 A 63 W, 8-Pin TSDSON
- RS Best.-Nr.:
- 222-4627
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ028N04LSATMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 15 - 60 | CHF.0.935 | CHF.14.03 |
| 75 - 135 | CHF.0.893 | CHF.13.33 |
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| 375 - 735 | CHF.0.819 | CHF.12.22 |
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- RS Best.-Nr.:
- 222-4627
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ028N04LSATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 114A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TSDSON | |
| Serie | OptiMOS-TM3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 32nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 63W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.1 mm | |
| Länge | 5.35mm | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 114A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TSDSON | ||
Serie OptiMOS-TM3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 32nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 63W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.1 mm | ||
Länge 5.35mm | ||
Höhe 1.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Bleifreie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform
Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23
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