Infineon OptiMOS-TM3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 40 A 63 W, 8-Pin BSZ150N10LS3GATMA1 TSDSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

CHF.12.39

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 9’580 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 40CHF.1.239CHF.12.39
50 - 90CHF.1.176CHF.11.79
100 - 240CHF.1.124CHF.11.27
250 - 490CHF.1.082CHF.10.78
500 +CHF.1.008CHF.10.05

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-4634
Herst. Teile-Nr.:
BSZ150N10LS3GATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

OptiMOS-TM3

Gehäusegröße

TSDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

26nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

63W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.2mm

Breite

6.1 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.35mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Bleifreie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform

Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23

Verwandte Links