Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 22 A 110 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

CHF.243.10

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 250 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 50CHF.4.862CHF.243.02
100 - 200CHF.4.62CHF.230.90
250 +CHF.4.326CHF.216.30

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
222-4699
Herst. Teile-Nr.:
IPP60R099C7XKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

22A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

CoolMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

99mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Höhe

4.57mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.36mm

Breite

15.95 mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, stehen für "Feldeffekttransistoren von Metalloxid-Halbleiter-Transistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Bleifreie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform

Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23

Verwandte Links