Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 22 A 110 W, 3-Pin IPP60R099C7XKSA1 TO-220

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Herst. Teile-Nr.:
IPP60R099C7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

22A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

CoolMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

99mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Breite

15.95 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.36mm

Höhe

4.57mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, stehen für "Feldeffekttransistoren von Metalloxid-Halbleiter-Transistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Bleifreie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform

Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23

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