Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 109 A 446 W, 4-Pin IPZ60R017C7XKSA1 TO-247

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Herst. Teile-Nr.:
IPZ60R017C7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

109A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

17mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

446W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

240nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

16.13mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

21.1mm

Breite

5.21 mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von Cool MOS TM C7 ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die Serie 600 V Cool MOS TM C7 kombiniert die Erfahrung des führenden SJ MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Der 600 V C7 ist die erste Technologie überhaupt mit RDS(on) * A unter 1 Ohm * mm.

Bleifreie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform

Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23

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