Infineon Doppelt HEXFET N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 55 V Erweiterung / 5.1 A, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
223-8452
Herst. Teile-Nr.:
AUIRF7341QTR
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

500mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

29nC

Gate-Source-spannung max Vgs

3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Normen/Zulassungen

No

Breite

4mm

Länge

5mm

Höhe

1.5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET in einem dualen SO-8-Gehäuse nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Das effiziente SO-8-Gehäuse bietet verbesserte thermische Eigenschaften und eine zweifache MOSFET-Matrizenfähigkeit und ist daher ideal für eine Vielzahl von Stromversorgungsanwendungen.

Advanced Planar Technology

Dynamische dV/dT-Nennleistung

Logikebenen-Gate-Ansteuerung

175 °C Betriebstemperatur

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Ohne Leitung

RoHS-konform

Für Kraftfahrttechnik geeignet

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