Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 345 A 341 W, 8-Pin AUIRF7749L2TR DirectFET

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Herst. Teile-Nr.:
AUIRF7749L2TR
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

345A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

DirectFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.5mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

60 V

Maximale Verlustleistung Pd

341W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

183nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der einkanalige HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon wurde für Anwendungen entwickelt, bei denen Effizienz und Leistungsdichte von Wert sind. Die Advanced DirectFET-Verpackungsplattform in Verbindung mit der neuesten Siliziumtechnologie ermöglicht diesem MOSFET erhebliche Einsparungen auf Systemebene und eine Leistungssteigerung speziell in Motorantreiberanwendungen, DC/DC- und anderen Schwerlastanwendungen.

Advanced Prozesstechnologie

Außergewöhnlich kleine Abmessungen und niedrige Bauhöhe

Hohe Leistungsdichte

Niedrige parasitäre Parameter

Beidseitige Kühlung

175 °C Betriebstemperatur

Ohne Leitung

RoHS-konform

Halogenfrei

Für Kraftfahrttechnik geeignet

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