Infineon BSS138I Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 60 V / 230 mA 0.36 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 225-0560
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS138IXTSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.153.00
Vorübergehend ausverkauft
- 3'000 Einheit(en) mit Versand ab 06. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | CHF.0.051 | CHF.157.56 |
| 6000 - 12000 | CHF.0.051 | CHF.148.47 |
| 15000 + | CHF.0.051 | CHF.142.41 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 225-0560
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS138IXTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 230mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | BSS138I | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.36W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.04mm | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 230mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie BSS138I | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.36W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.04mm | ||
Höhe 1.12mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon BSS138I ist ein kleines Signal, kleine Leistungs-N- und P-Kanal-MOSFETs bieten eine Vielzahl von VGS(th)-Pegeln und RDS(on)-Werten sowie mehrere Spannungsklassen. Dieser MOSFET verfügt über Anreicherungs- und Abarmungsmodus-Optionen.
Platz auf der Leiterplatte und Kosteneinsparungen
Torantriebsflexibilität
Geringere Designkomplexität
Umweltfreundlich
Hoher Gesamtwirkungsgrad
Verwandte Links
- Infineon BSS138I Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 60 V / 230 mA 0.36 W, 3-Pin SOT-23
- Infineon BSS139I Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 250 V / 100 mA 0.36 W, 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 60 V / 230 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 200 mA 0.36 W, 3-Pin SOT-23
- Infineon BSS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 250 V / 0.1 A 81 W, 3-Pin SOT-23
- Infineon BSS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 100 V / 0.9 A 81 W, 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 600 V / 21 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS® Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 600 V / 21 mA 0.5 W, 3-Pin SOT-23