Infineon SIPMOS® Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 600 V / 21 mA 0.5 W, 3-Pin BSS126IXTSA1 SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 236-4397
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS126IXTSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 236-4397
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS126IXTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | SIPMOS® | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 700Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.4nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3mm | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie SIPMOS® | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 700Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.4nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3mm | ||
Breite 1.4 mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 600-V-N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET vom Verarmungstyp von Infineon ist bleifrei, RoHS-konform und gemäß IEC61249-2-21 halogenfrei. Vollqualifiziert nach JEDEC für industrielle Anwendungen. Es hat das branchenübliche Qualifikationsniveau.
Hohe Systemzuverlässigkeit
Umweltfreundlich
Platz- und Kosteneinsparung auf der Leiterplatte
dv/dt bewertet
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