Infineon SIPMOS® Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 600 V / 21 mA 0.5 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 236-4398
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS126IXTSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.1.82
Auf Lager
- 4'330 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.182 | CHF.1.82 |
| 100 - 240 | CHF.0.172 | CHF.1.72 |
| 250 - 490 | CHF.0.162 | CHF.1.65 |
| 500 - 990 | CHF.0.162 | CHF.1.59 |
| 1000 + | CHF.0.131 | CHF.1.27 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 236-4398
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS126IXTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | SIPMOS® | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 700Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.5W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie SIPMOS® | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 700Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.5W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 1.4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 600-V-N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET vom Verarmungstyp von Infineon ist bleifrei, RoHS-konform und gemäß IEC61249-2-21 halogenfrei. Vollqualifiziert nach JEDEC für industrielle Anwendungen. Es hat das branchenübliche Qualifikationsniveau.
Hohe Systemzuverlässigkeit
Umweltfreundlich
Platz- und Kosteneinsparung auf der Leiterplatte
dv/dt bewertet
Verwandte Links
- Infineon SIPMOS® Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 600 V / 21 mA 0.5 W, 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 600 V / 21 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 60 V / 230 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23
- Infineon BSS127I Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 600 V / 21 mA 0.5 W, 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 21 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 200 V / 660 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 240 V / 350 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 600 V / 120 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223