Infineon SIPMOS® N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 600 V / 21 mA 0.5 W, 3-Pin SOT-23

Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Transistor mit Kleinsignal und Depletion-Modus, der für oberflächenmontierte Elektronik entwickelt wurde, die eine Hochspannungsschaltung in kompakten Abmessungen erfordert. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und ist für Anwendungen mit geringem Stromverbrauch vorgesehen, bei denen ein Depletion-Modus-Gerät bevorzugt wird, um ein normalerweise eingeschaltetes Verhalten und eine vereinfachte Gate-Steuerung zu gewährleisten.

• Maximale Ablass-Quellenspannung 600 V ermöglicht Hochspannungsschaltung
• Maximaler kontinuierlicher Ablassstrom von 21 mA unterstützt Schaltkreise mit geringem Stromverbrauch
• Maximaler Drain-Source-Widerstand 700 Ω begrenzt die Leitung im eingeschalteten Zustand
• Die Durchlassspannung von 1,2 V reduziert den Spannungsabfall in getriebenen Wegen
• Eine typische Gate-Ladung von 1,4 nC ermöglicht eine geringe Gate-Antriebsenergie
• Maximale Verlustleistung von 0,5 W eignet sich für thermische Budgets mit geringem Stromverbrauch

• Geeignet für Hochspannungs-Bias-Netzwerke in analogen Designs
• Ideal für Schwachstromschutzschaltungen und Entleerungswiderstände
• Wird mit Kleinsignal-Treibern verwendet, die ein Verhalten im Depletion-Modus erfordern
• Kann für die Stromsteuerung in Sensorenfrontenden verwendet werden
• Geeignet für kompakte Leistungsmanagement-Unterschaltungen in Wandlern

Ein Gate-to-Source-Potential von bis zu 20 V ist für den normalen Betrieb zulässig.

Er ist für den Betrieb in verschiedenen Umgebungen zwischen -55 °C und 150 °C ausgelegt.

Er wird in einem SOT-23-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für die automatisierte Platzierung geeignet ist.

Das Gehäuse misst ca. 3 mm Länge, 1,4 mm Breite und 1,1 mm Höhe für die Planung von Landsmustern.

Es ist nicht als Kfz-Standardkomponente spezifiziert und sollte nicht davon ausgegangen werden, dass es diese Kriterien erfüllt.