Infineon SIPMOS® Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 600 V / 21 mA 0.5 W, 3-Pin SOT-23

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

CHF.2.02

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 4'290 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 90CHF 0.202CHF 2.04
100 - 240CHF 0.192CHF 1.93
250 - 490CHF 0.182CHF 1.84
500 - 990CHF 0.182CHF 1.78
1000 +CHF 0.141CHF 1.43

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
236-4398
Herst. Teile-Nr.:
BSS126IXTSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

SIPMOS®

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

700Ω

Channel-Modus

Entleerung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

0.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.4nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.4mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Der 600-V-N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET vom Verarmungstyp von Infineon ist bleifrei, RoHS-konform und gemäß IEC61249-2-21 halogenfrei. Vollqualifiziert nach JEDEC für industrielle Anwendungen. Es hat das branchenübliche Qualifikationsniveau.

Hohe Systemzuverlässigkeit

Umweltfreundlich

Platz- und Kosteneinsparung auf der Leiterplatte

dv/dt bewertet

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.