Infineon IPT010N08NM5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 43 A 375 W, 8-Pin HSOF
- RS Best.-Nr.:
- 225-0582
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT010N08NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF 8.04 | CHF 16.07 |
| 20 - 48 | CHF 6.908 | CHF 13.83 |
| 50 - 98 | CHF 6.424 | CHF 12.86 |
| 100 - 198 | CHF 6.02 | CHF 12.05 |
| 200 + | CHF 5.545 | CHF 11.09 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 225-0582
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT010N08NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 43A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | HSOF | |
| Serie | IPT010N08NM5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.05mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 178nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Länge | 10.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 10.58mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 43A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße HSOF | ||
Serie IPT010N08NM5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.05mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 178nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.4mm | ||
Länge 10.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 10.58mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IPT010N08NM5 ist der 1-N-Kanal OptiMOS 5 Leistungs-MOSFET 80 V 1,05 mΩ 425 A in einem TOLL-Gehäuse. Die Siliziumtechnologie OptiMOS 5 ist eine neue Generation von Leistungs-MOSFETs und wurde speziell für die synchrone Gleichrichtung für Telekommunikations- und Servernetzteile entwickelt.
Erhöhte Leistungsdichte
Niederspannungs-/Überschwingen
Weniger Parallelschaltung erforderlich
Höchste Systemeffizienz
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
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