STMicroelectronics MDmesh DM6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 72 A 480 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 225-0678
- Herst. Teile-Nr.:
- STWA68N65DM6AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 225-0678
- Herst. Teile-Nr.:
- STWA68N65DM6AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 72A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | MDmesh DM6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 39mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 118nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 480W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 40.92mm | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Breite | 15.8 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 72A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie MDmesh DM6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 39mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 118nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 480W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 40.92mm | ||
Höhe 5.1mm | ||
Breite 15.8 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der STMicroelectronics Hochspannungs-Leistungs-MOSFET für N-Kanal ist Teil der schnellen Erholungs-Diodenserie MDmesh DM6. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten, das auf dem Markt für die anspruchsvollsten hocheffizienten Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler verfügbar ist.
Gehäusediode mit schneller Erholung
Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation
Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Extrem hohe dv/dt-Robustheit
Zenerdioden-geschützt
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