Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 5.4 A 4.2 W, 6-Pin Si3129DV-T1-GE3 TSOP

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228-2817
Herst. Teile-Nr.:
Si3129DV-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

TSOP

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

82.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12nC

Maximale Verlustleistung Pd

4.2W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.1mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay TrenchFET P-Kanal-Leistungs-MOSFET wird für die Stromüberwachung von tragbaren und Verbraucherlastschaltern und DC/DC-Wandlern verwendet.

100 % Rg- und UIS-geprüft

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