Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 25 A 179 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 228-2842
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB120N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 228-2842
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB120N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | E | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 120mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 179W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie E | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 120mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 179W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 25 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHB120N60E-T1-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für Oberflächenmontageanwendungen in Industrie- und Automatisierungsumgebungen entwickelt wurde. Es funktioniert als N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Leistungsumwandlungs- und Schaltaufgaben geeignet ist, bei denen eine robuste Spannungsverarbeitung und ein erheblicher Stromfluss erforderlich sind. Die Komponente wird in einem TO‐263-Gehäuse mit drei Anschlüssen geliefert und ist für den Einsatz in einem breiten Temperaturbereich vorgesehen.
Merkmale und Vorteile:
• 650 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 25 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt dauerhafte Lastbedingungen
• Der Einschaltwiderstand von 120 mΩ reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 179 W ermöglicht einen erheblichen thermischen Kopfraum
• 30-V-Gate-Toleranz ermöglicht flexible Gate-Drive-Spannungen
• Typische Gate-Ladung 30 nC Geschwindigkeiten Schaltübergänge
• 25 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt dauerhafte Lastbedingungen
• Der Einschaltwiderstand von 120 mΩ reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 179 W ermöglicht einen erheblichen thermischen Kopfraum
• 30-V-Gate-Toleranz ermöglicht flexible Gate-Drive-Spannungen
• Typische Gate-Ladung 30 nC Geschwindigkeiten Schaltübergänge
Anwendungen
• Geeignet für industrielle Motor-Antriebs-Wandler, die hohe Spannungen bewältigen
• Ideal für SMPS- und Netzteil-Frontend-Schaltstufen
• Wird für LED-Treiber und Lampensteuerung verwendet, die einen hohen VDS erfordern
• Kann für Wechselrichterstufen in erneuerbaren Energiesystemen verwendet werden
• Geeignet für allgemeine Hochspannungsstromschaltungen in der Automatisierung
• Ideal für SMPS- und Netzteil-Frontend-Schaltstufen
• Wird für LED-Treiber und Lampensteuerung verwendet, die einen hohen VDS erfordern
• Kann für Wechselrichterstufen in erneuerbaren Energiesystemen verwendet werden
• Geeignet für allgemeine Hochspannungsstromschaltungen in der Automatisierung
Welche extremen Temperaturen kann dieses Gerät während des Betriebs tolerieren?
Er ist für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in rauen thermischen Umgebungen.
Wie wirkt sich das Gehäuse auf die Montage und die thermische Leistung aus?
Das oberflächenmontierbare TO‐263-Gehäuse erleichtert die Montage von gelöteten Leiterplatten und bietet einen Wärmeweg, der sich für die Kühlung über Leiterplattenkupfer und externe Befestigungen eignet.
Welche Gate-Treiber-Bedenken sollten für eine zuverlässige Schaltung beachtet werden?
Halten Sie die Gate-Spannung innerhalb von ±30 V und berücksichtigen Sie die typische Gate-Ladung von 30 nC bei der Entwicklung von Treiberschaltkreisen, um einen ausreichenden Antriebsstrom und eine ausreichende Schaltgeschwindigkeit zu gewährleisten.
Gibt es Einschränkungen für die Verwendung im Automobilbereich?
Es ist nicht spezifiziert, dass es den Automobilstandards entspricht, daher sollte es nicht als für zertifizierte Automobilanwendungen geeignet angesehen werden.
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