Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 25 A 179 W, 3-Pin TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
SIHB120N60E-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

25A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

E

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

120mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

30nC

Maximale Verlustleistung Pd

179W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 25 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHB120N60E-T1-GE3


Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für Oberflächenmontageanwendungen in Industrie- und Automatisierungsumgebungen entwickelt wurde. Es funktioniert als N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Leistungsumwandlungs- und Schaltaufgaben geeignet ist, bei denen eine robuste Spannungsverarbeitung und ein erheblicher Stromfluss erforderlich sind. Die Komponente wird in einem TO‐263-Gehäuse mit drei Anschlüssen geliefert und ist für den Einsatz in einem breiten Temperaturbereich vorgesehen.

Merkmale und Vorteile:


• 650 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 25 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt dauerhafte Lastbedingungen
• Der Einschaltwiderstand von 120 mΩ reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 179 W ermöglicht einen erheblichen thermischen Kopfraum
• 30-V-Gate-Toleranz ermöglicht flexible Gate-Drive-Spannungen
• Typische Gate-Ladung 30 nC Geschwindigkeiten Schaltübergänge

Anwendungen


• Geeignet für industrielle Motor-Antriebs-Wandler, die hohe Spannungen bewältigen
• Ideal für SMPS- und Netzteil-Frontend-Schaltstufen
• Wird für LED-Treiber und Lampensteuerung verwendet, die einen hohen VDS erfordern
• Kann für Wechselrichterstufen in erneuerbaren Energiesystemen verwendet werden
• Geeignet für allgemeine Hochspannungsstromschaltungen in der Automatisierung

Welche extremen Temperaturen kann dieses Gerät während des Betriebs tolerieren?


Er ist für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in rauen thermischen Umgebungen.

Wie wirkt sich das Gehäuse auf die Montage und die thermische Leistung aus?


Das oberflächenmontierbare TO‐263-Gehäuse erleichtert die Montage von gelöteten Leiterplatten und bietet einen Wärmeweg, der sich für die Kühlung über Leiterplattenkupfer und externe Befestigungen eignet.

Welche Gate-Treiber-Bedenken sollten für eine zuverlässige Schaltung beachtet werden?


Halten Sie die Gate-Spannung innerhalb von ±30 V und berücksichtigen Sie die typische Gate-Ladung von 30 nC bei der Entwicklung von Treiberschaltkreisen, um einen ausreichenden Antriebsstrom und eine ausreichende Schaltgeschwindigkeit zu gewährleisten.

Gibt es Einschränkungen für die Verwendung im Automobilbereich?


Es ist nicht spezifiziert, dass es den Automobilstandards entspricht, daher sollte es nicht als für zertifizierte Automobilanwendungen geeignet angesehen werden.

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