Vishay E N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 25 A 179 W, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 228-2841
Herst. Teile-Nr.:: SIHB120N60E-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay E N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 25 A 179 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Derzeit nicht erhältlich

Leider können wir keine Angaben machen, wann dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.

RS Best.-Nr.:: 228-2841
Herst. Teile-Nr.:: SIHB120N60E-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	25A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	E
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	120mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	30nC
	Maximale Verlustleistung Pd	179W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie E
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 120mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC
	Maximale Verlustleistung Pd 179W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIHB120N60E-T1-GE3

Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 25 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHB120N60E-T1-GE3

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Gerät, das für Schalt- und Leistungsumwandlungsaufgaben in oberflächenmontierten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich und ist für Anwendungen konzipiert, die eine hohe Spannungstoleranz und thermische Leistung erfordern und gleichzeitig den RoHS-Richtlinien entsprechen.

Merkmale und Vorteile:

• 650 V Drain-Source-Festigkeit ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 25 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 120 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Leistungspfaden
• Die Verlustleistung von 179 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 30-V-Gate-Toleranz ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen
• 30 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbare Schaltenergie

Anwendungen

• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler
• Ideal für industrielle Motor-Antriebs-Schaltstufen
• Wird für die DC/DC-Umwandlung in Telekommunikationsgeräten verwendet
• Kann für Leistungsfaktor-Korrektur-Schaltkreise verwendet werden
• Geeignet für die Umschaltung von USV und Batteriemanagement

Welchen thermischen Bereich kann dieses Gerät während des Betriebs tolerieren?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in anspruchsvollen thermischen Umgebungen.

Wie ist das Gerät für die Leiterplattenmontage verpackt?

Er wird in einem oberflächenmontierbaren TO-263-Gehäuse mit drei Anschlüssen für eine effiziente Leiterplattenmontage und Wärmeableitung geliefert.

Welches Schaltverhalten kann ich in Bezug auf den Gate-Treiber erwarten?

Mit einer maximalen Gate-Source-Spannung von 30 V und einer typischen Gate-Ladung von 30 nC sind die Gate-Treiberanforderungen für gängige Gate-Treiber-Schaltkreise moderat und vorhersehbar.

Ist dieses Teil für Kfz-Anwendungen geeignet?

Es entspricht nicht den Normen für die Automobilindustrie, daher sollte es nicht ausgewählt werden, wenn eine Zertifizierung für die Automobilindustrie erforderlich ist.