Vishay E N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 32 A 184 W, 4-Pin PowerPAK

RS Best.-Nr.:: 228-2871
Herst. Teile-Nr.:: SiHH080N60E-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay E N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 32 A 184 W, 4-Pin PowerPAK

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RS Best.-Nr.:: 228-2871
Herst. Teile-Nr.:: SiHH080N60E-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	32A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Gehäusegröße	PowerPAK
	Serie	E
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	70mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	42nC
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd	184W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 32A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Gehäusegröße PowerPAK
	Serie E
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 70mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd 184W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SiHH080N60E-T1-GE3

Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 650 V maximale Drain-Source-Spannung, 32 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SiHH080N60E-T1-GE3

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schaltgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsumwandlungs- und Steuerungsaufgaben entwickelt wurde. Er funktioniert in einem breiten Umgebungsbereich und ist für Anwendungen vorgesehen, die eine hohe Strombelastbarkeit, effizientes Schalten und eine kompakte Leiterplattenmontage erfordern. Das Gerät entspricht den RoHS-Umweltstandards und wird in einem PowerPAK-Gehäuse für die Low-Profile-Montage geliefert.

Merkmale und Vorteile:

• Die Ablassleistung von 650 V ermöglicht Hochspannungsanwendungen
• 32 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt die Handhabung schwerer Lasten
• 70 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die typische Gate-Ladung von 42 nC ermöglicht schnellere Schaltübergänge
• 184 W Verlustleistung verwaltet die Wärmeenergie im Betrieb
• Vgs-Grenzwert von 30 V ermöglicht Standard-Gate-Drive-Spannungen

Anwendungen

• Geeignet für Hochspannungs-Schaltnetzteile
• Ideal für industrielle Motorwechselrichterstufen
• Verwendung mit PFC-Schaltkreisen, die robuste Schalter erfordern
• Kann für Inverter-Abschnitte für erneuerbare Energien verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Stromversorgungsbaugruppen

Welche extremen Temperaturen kann das Gerät im Betrieb tolerieren?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und eignet sich für raue thermische Umgebungen und hohe Anschlusstemperaturen.

Wie hilft das Gehäuse bei der Leiterplattenmontage und dem thermischen Verhalten?

Das PowerPAK-Gehäuse für die Oberflächenmontage bietet eine flache Grundfläche für die automatische Platzierung und bietet einen Wärmeweg, der für die Kupferwärmeableitung auf der Leiterplatte geeignet ist.

Welche Gate-Drive-Bedenken sind für eine zuverlässige Schaltung erforderlich?

Die Antriebsschaltkreise sollten die Gate-Source-Bewertung von ±30 V einhalten und so dimensioniert sein, dass sie die typische Gate-Ladung von 42 nC für die gewünschte Schaltgeschwindigkeit und EMI-Steuerung liefern.

Ist dieses Gerät für Kfz-Systeme geeignet?

Es ist nicht als Automobil-Standardgerät definiert, daher sollten Entwickler die Qualifikationsanforderungen überprüfen, bevor sie es in zertifizierten Automobilprogrammen einsetzen.