Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 32 A 184 W, 4-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 228-2871
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHH080N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.5’922.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 01. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF.1.974 | CHF.5’928.30 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 228-2871
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHH080N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 32A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Serie | E | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 80mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 184W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 32A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Serie E | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 80mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 184W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie reduziert Schalt- und Leitungsverluste.
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))
Verwandte Links
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 32 A 184 W, 4-Pin SiHH080N60E-T1-GE3 PowerPAK
- Vishay SIHK Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 184 W, 8-Pin SIHK085N60EF-T1GE3 PowerPAK
- Vishay SIHK Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 24 A 132 W, 8-Pin SIHK105N60E-T1-GE3 PowerPAK
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 600 V / 32 A 278 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 600 V / 32 A 278 W, 8-Pin SIHR120N60E-T1-GE3 PowerPAK
- Vishay SIHH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 184 W, 4-Pin SIHH085N60EF-T1GE3 PowerPAK 8 x 8
- Vishay SIHG Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 34 A 184 W, 3-Pin TO-247AC
- Vishay SIHB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 34 A 184 W, 3-Pin SIHB085N60EF-GE3 TO-263