Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 45 V / 113 A 48 W, 4-Pin SiJ450DP-T1-GE3 SO-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.6.615

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 5’995 Einheit(en) mit Versand ab 01. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF.1.323CHF.6.62
50 - 120CHF.1.187CHF.5.94
125 - 245CHF.0.998CHF.4.97
250 - 495CHF.0.924CHF.4.62
500 +CHF.0.609CHF.3.05

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
228-2887
Herst. Teile-Nr.:
SiJ450DP-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

113A

Drain-Source-Spannung Vds max.

45V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

75.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

48W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay TrenchFET N-Kanal ist ein 45-V-MOSFET.

100 % Rg- und UIS-geprüft

Verwandte Links