Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 201 A 48 W, 4-Pin SiJA22DP-T1-GE3 SO-8

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RS Best.-Nr.:
228-2890
Herst. Teile-Nr.:
SiJA22DP-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

201A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.74mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

48W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

83nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay TrenchFET N-Kanal ist ein 25-V-MOSFET.

100 % Rg- und UIS-geprüft

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