Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 350.8 A 104.1 W, 8-Pin SiR500DP-T1-RE3 SO-8

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RS Best.-Nr.:
228-2902
Herst. Teile-Nr.:
SiR500DP-T1-RE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

350.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.47mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

120nC

Maximale Verlustleistung Pd

104.1W

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay TrenchFET N-Kanal ist ein 30-V-MOSFET.

100 % Rg- und UIS-geprüft

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