Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 350.8 A 104.1 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 228-2902
- Herst. Teile-Nr.:
- SiR500DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.11.50
Nur noch Restbestände
- Letzte 2’215 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.30 | CHF.11.49 |
| 50 - 120 | CHF.1.953 | CHF.9.76 |
| 125 - 245 | CHF.1.838 | CHF.9.19 |
| 250 - 495 | CHF.1.722 | CHF.8.63 |
| 500 + | CHF.1.145 | CHF.5.74 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 228-2902
- Herst. Teile-Nr.:
- SiR500DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 350.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.47mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104.1W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 120nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 350.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.47mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104.1W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 120nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay TrenchFET N-Kanal ist ein 30-V-MOSFET.
100 % Rg- und UIS-geprüft
Verwandte Links
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 350.8 A 104.1 W, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 46 A 73.5 W, 8-Pin SI7469ADP-T1-RE3 SO-8
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 77.4 A 104 W, 8-Pin SiR570DP-T1-RE3 SO-8
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 23.5 A 39 W, 8-Pin Si7454FDP-T1-RE3 SO-8
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 126 A 104 W, 8-Pin SiR510DP-T1-RE3 SO-8
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 71.9 A 104 W, 8-Pin SiR681DP-T1-RE3 SO-8
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 51.4 A 71.4 W, 8-Pin SiR876BDP-T1-RE3 SO-8
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 70.6 A 71.4 W, 8-Pin SiR880BDP-T1-RE3 SO-8