Vishay E N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 700 V / 34 A 375 W, 3-Pin TO-247AD
- RS Best.-Nr.:
- 228-2975
- Herst. Teile-Nr.:
- SQW33N65EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (2 Stück, in einer Packung mit 2)*
CHF 13.70
Auf Lager
- 306 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF 6.848 | CHF 13.70 |
| 20 - 48 | CHF 5.818 | CHF 11.65 |
| 50 - 98 | CHF 5.272 | CHF 10.54 |
| 100 - 198 | CHF 4.242 | CHF 8.49 |
| 200 + | CHF 3.697 | CHF 7.39 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 228-2975
- Herst. Teile-Nr.:
- SQW33N65EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 34A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Serie | E | |
| Gehäusegröße | TO-247AD | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 109mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 115nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 34A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Serie E | ||
Gehäusegröße TO-247AD | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 109mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 115nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 700 V Drain-Source-Spannung, 34 A kontinuierlicher Drain-Strom – SQW33N65EF-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für anspruchsvolle Leistungsumwandlungs- und Steuerungsaufgaben entwickelt wurde. Er funktioniert in einem breiten Umgebungsbereich und wird in einem Durchsteckgehäuse geliefert, das für Kühlkörper und robuste Montage in Industrie- oder Automobilumgebungen geeignet ist. Das Gerät unterstützt die Umschaltung im Enhancement-Modus für effiziente Hochspannungsanwendungen und ist RoHS-konform.
Merkmale und Vorteile:
• Die Ablassleistung von 700 V ermöglicht das Design von Hochspannungsanlagen
• 34 A Dauerstrom bewältigt erhebliche Lastströme
• 109 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Verlustleistung von 375 W unterstützt Schaltzyklen mit hoher Leistung
• Die typische Gate-Ladung von 115 nC ermöglicht eine vorhersehbare Gate-Drive-Grösse
• 30-V-Gate-Toleranz ermöglicht die Auswahl eines gängigen Gate-Treibers
• 34 A Dauerstrom bewältigt erhebliche Lastströme
• 109 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Verlustleistung von 375 W unterstützt Schaltzyklen mit hoher Leistung
• Die typische Gate-Ladung von 115 nC ermöglicht eine vorhersehbare Gate-Drive-Grösse
• 30-V-Gate-Toleranz ermöglicht die Auswahl eines gängigen Gate-Treibers
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungs-Motorantriebsstufen
• Ideal für Front-End-Leistungsfaktorkorrektur-Schaltkreise
• Einsatz mit Schaltnetzteilen in Wechselrichtern für erneuerbare Energien
• Kann für Kraftfahrzeug-Wechselrichter verwendet werden, die AEC-Q101 erfordern
• Geeignet für industrielle Schweiß- und Plasma-Leistungsmodule
• Ideal für Front-End-Leistungsfaktorkorrektur-Schaltkreise
• Einsatz mit Schaltnetzteilen in Wechselrichtern für erneuerbare Energien
• Kann für Kraftfahrzeug-Wechselrichter verwendet werden, die AEC-Q101 erfordern
• Geeignet für industrielle Schweiß- und Plasma-Leistungsmodule
Welchem thermischen Bereich kann er in rauen Installationen standhalten?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz sowohl in Umgebungen mit Kaltstart als auch mit hoher Hitze.
Welches Gehäuse erleichtert die Montage und die Wärmeableitung?
Das TO-247AD-Gehäuse mit Durchgangsbohrung ermöglicht eine sichere Verschraubung an einem Kühlkörper für ein verbessertes Wärmemanagement.
Wie wirkt sich der Kanaltyp auf das Schaltverhalten aus?
Die N-Kanal-Enhancement-Mode-Struktur sorgt für einen normalen Aus-Betrieb und eine effiziente Leitung, wenn sie über der Gate-Schwelle angesteuert wird.
Ist sie für Qualifizierungsanforderungen im Automobilbereich geeignet?
Er erfüllt die AEC-Q101-Normen und eignet sich daher für viele Leistungsstufen der Fahrzeugelektronik.
Verwandte Links
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 700 V / 34 A 375 W, 3-Pin TO-247AD
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 700 V / 47 A 500 W, 3-Pin TO-247AD
- Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterungsmodus 60 V / 375 A 375 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 34 A 184 W, 3-Pin TO-247AC
- Vishay E Series N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 96 A 521 W, 4-Pin TO-247AD
- Vishay E Series N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 62 A 357 W, 4-Pin TO-247AD
- Vishay E Series N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 65 A 391 W, 4-Pin TO-247AD
- Vishay E Series N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 65 A 391 W, 3-Pin TO-247AD
