Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 150 A 375 W, 7-Pin TO-263

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228-2985
Herst. Teile-Nr.:
SUM70030M-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

150A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

142.4nC

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay N-Kanal 100-V (D-S) MOSFET.

100 % Rg- und UIS-geprüft

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