Infineon IPP016N08NF2S Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 80 V / 35 A 300 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 228-6538
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP016N08NF2SAKMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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CHF.7.98
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.3.99 | CHF.7.98 |
| 20 - 48 | CHF.3.586 | CHF.7.17 |
| 50 - 98 | CHF.3.353 | CHF.6.71 |
| 100 - 198 | CHF.3.151 | CHF.6.30 |
| 200 + | CHF.2.909 | CHF.5.82 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 228-6538
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP016N08NF2SAKMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 35A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | IPP016N08NF2S | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.1mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 170nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.36mm | |
| Höhe | 9.45mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 35A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie IPP016N08NF2S | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.1mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 170nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.36mm | ||
Höhe 9.45mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IPP016N08NF2S ist der N-Kanal-Leistungs-MOSFET. Die Drain-Quellspannung dieses Moosfets beträgt 80 V. Es unterstützt eine Vielzahl von Anwendungen und die Standard-Pinbelegung ermöglicht den Austausch per Drop-in. Dieses Mosfet hat eine erhöhte Strombelastbarkeit.
Optimiert für eine Vielzahl von Anwendungen
N-Kanal, normale
100%ig auf Stoßentladung geprüft
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