Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 135 A 100 W, 8-Pin SO-8

RS Best.-Nr.:: 232-6752
Herst. Teile-Nr.:: ISC0702NLSATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 135 A 100 W, 8-Pin SO-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 232-6752
Herst. Teile-Nr.:: ISC0702NLSATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	135A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Serie	OptiMOS 5
	Gehäusegröße	SO-8
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3.5mΩ
	Maximale Verlustleistung Pd	100W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	56nC
	Durchlassspannung Vf	1.1V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	1.2mm
	Länge	6.1mm
	Höhe	5.35mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 135A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Serie OptiMOS 5
	Gehäusegröße SO-8
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.5mΩ
	Maximale Verlustleistung Pd 100W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 56nC
	Durchlassspannung Vf 1.1V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 1.2mm
	Länge 6.1mm
	Höhe 5.35mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - ISC0702NLSATMA1

Infineon OptiMOS 5 Serie MOSFET, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 135 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – ISC0702NLSATMA1

Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Hochstrom-Leistungstransistor, der für oberflächenmontierte Anwendungen entwickelt wurde, bei denen effiziente Schaltvorgänge und thermische Widerstandsfähigkeit erforderlich sind. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und ist für die Stromumwandlung und Schaltfunktionen in anspruchsvollen elektronischen Systemen vorgesehen.

Merkmale und Vorteile:

• Niedriger Einschaltwiderstand von 3.5 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Ausgelegt für einen kontinuierlichen Ablassstrom von 135 A, unterstützt schwere Lasten
• Die Drain-Source-Spannung von 60 V ermöglicht höhere Spannungsstufen
• Die Verlustleistung von 100 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Die typische Gate-Ladung von 56 nC sorgt für effiziente Schaltübergänge
• 20-V-Gate-Schwelle für breite Gate-Treiber-Amplituden

Anwendungsbereich

• Geeignet für N-Kanal-Leistungsstufen in DC/DC-Wandlern
• Wird mit oberflächenmontierten Hochstrom-Stromversorgungen verwendet
• Ideal für kompakte SO-8-Stromversorgungsmodule in Wandlern
• Kann für allgemeine Schaltvorgänge in Stromversorgungssystemen verwendet werden
• Geeignet zum Austausch in Hochstrom-Leistungstransistorrollen

Welchen Umgebungsbereich kann er während des Betriebs vertragen?

Es funktioniert von -55 °C bis 175 °C.

Wie viele Stifte bietet das Gehäuse für die Leiterplattenmontage?

Er wird in einem 8-poligen SO-8-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert.

Welche Vorwärtsleitungscharakteristik wirkt sich auf den Leitungsabfall aus?

Das Gerät verfügt über eine Durchlassspannung von 1,1 V, die den Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand beeinflusst.

Welche physischen Einschränkungen sollten Entwickler berücksichtigen?

Das Gehäuse misst 6,1 mm in der Länge, 5,35 mm in der Höhe und 1,2 mm in der Breite.

Welchen Kanaltyp und welche Befestigungsmethode wird verwendet?

Es verwendet eine N-Kanal-Architektur und ist für die Oberflächenmontage vorgesehen.