Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 135 A 100 W, 8-Pin ISC0702NLSATMA1 SO-8

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232-6753
Herst. Teile-Nr.:
ISC0702NLSATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

135A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

OptiMOS 5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

56nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

1.2 mm

Länge

6.1mm

Höhe

5.35mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der OptiMOS PD Leistungs-MOSFET von Infineon 60 V wurde für USB-PD- und Adapteranwendungen entwickelt. Die Produkte bieten eine schnelle Inbetriebnahme und optimierte Vorlaufzeiten. OptiMOS-Niederspannungs-MOSFETs für die Stromversorgung ermöglichen Designs mit weniger Teilen, was zu einer Reduzierung der BOM-Kosten führt. OptiMOS PD bietet hochwertige Produkte in kompakten, leichten Gehäusen.

Logikpegel-Verfügbarkeit

Ausgezeichnetes thermisches Verhalten

100%ig auf Stoßentladung geprüft

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