Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 59 A 60 W, 8-Pin ISC0804NLSATMA1 SO-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.10.66

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 5’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF.2.132CHF.10.65
50 - 120CHF.1.89CHF.9.47
125 - 245CHF.1.785CHF.8.95
250 - 495CHF.1.659CHF.8.31
500 +CHF.1.533CHF.7.66

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
232-6762
Herst. Teile-Nr.:
ISC0804NLSATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

59A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

OptiMOS 5

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

14.9mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

60W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.1mm

Breite

1.2 mm

Höhe

5.35mm

Automobilstandard

Nein

Der OptiMOS PD Leistungs-MOSFET von Infineon 100 V wurde für USB-PD- und Adapteranwendungen entwickelt. Das SuperSO8-Gehäuse bietet eine schnelle Inbetriebnahme und optimierte Vorlaufzeiten. OptiMOS-Niederspannungs-MOSFETs für die Stromversorgung ermöglichen Designs mit weniger Teilen, was zu einer Reduzierung der BOM-Kosten führt. OptiMOS PD bietet hochwertige Produkte in kompakten, leichten Gehäusen.

Logikpegel-Verfügbarkeit

Ausgezeichnetes thermisches Verhalten

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Verwandte Links