Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 52 A 228 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 233-3487
- Herst. Teile-Nr.:
- AIMW120R035M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 233-3487
- Herst. Teile-Nr.:
- AIMW120R035M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 52A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 35mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 59nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 228W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 5.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Länge | 16.3mm | |
| Breite | 21.5 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 52A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie CoolSiC | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 35mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 59nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 228W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 5.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 5.3mm | ||
Länge 16.3mm | ||
Breite 21.5 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die Infineon CoolSiC MOSFETs für die Kfz-Familie wurden für aktuelle und zukünftige On-Board-Charger- und DC/DC-Anwendungen in Hybrid- und Elektrofahrzeugen entwickelt. Er hat einen Ableitstrom von 52 A.
Effizienzverbesserung
Ermöglicht eine höhere Frequenz
Erhöhte Leistungsdichte
Reduzierung des Kühlaufwands
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