Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 52 A 228 W, 3-Pin AIMW120R035M1HXKSA1 TO-247

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Herst. Teile-Nr.:
AIMW120R035M1HXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

52A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

CoolSiC

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

35mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

5.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

228W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

59nC

Gate-Source-spannung max Vgs

23 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

16.3mm

Breite

21.5 mm

Höhe

5.3mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Die Infineon CoolSiC MOSFETs für die Kfz-Familie wurden für aktuelle und zukünftige On-Board-Charger- und DC/DC-Anwendungen in Hybrid- und Elektrofahrzeugen entwickelt. Er hat einen Ableitstrom von 52 A.

Effizienzverbesserung

Ermöglicht eine höhere Frequenz

Erhöhte Leistungsdichte

Reduzierung des Kühlaufwands

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