Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 193 A 115 W, 8-Pin ISC017N04NM5ATMA1 TDSON-8 FL

RS Best.-Nr.:: 234-6995
Herst. Teile-Nr.:: ISC017N04NM5ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 193 A 115 W, 8-Pin ISC017N04NM5ATMA1 TDSON-8 FL

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 234-6995
Herst. Teile-Nr.:: ISC017N04NM5ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	193A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Serie	ISC
	Gehäusegröße	TDSON-8 FL
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.7mΩ
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	115W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	67nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	4.4mm
	Breite	1.1 mm
	Höhe	3.8mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 193A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Serie ISC
	Gehäusegröße TDSON-8 FL
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 115W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 67nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 4.4mm
	Breite 1.1 mm
	Höhe 3.8mm
	Automobilstandard Nein

Der N-Kanal-MOSFET-Leistungs-Transistor OptiMOS 5 von Infineon hat eine 40-V-Ablassquellen-Unterbrechungsspannung und einen durchgehenden Ablassstrom von 193 A. Dieses Produkt bietet eine Benchmark-Lösung für Anwendungen, die eine normale Antriebskapazität (höhere Schwellenspannung) erfordern. Die hohe Vth im Normalpegel-Portfolio bietet Immunität gegen falsches Einschalten aufgrund von lauten Umgebungen. Darüber hinaus verringern niedrigere QGD/QGS-Verhältnisse die Spitzen der Gate-Spannungsspitzen, was weiter zur Robustheit gegen unerwünschtes Einschalten beiträgt.

Batteriebetriebene Anwendung

LVV-Motorantriebe

Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand, RDS(on)

100 % Avalanche-getestet

175 °C Anschlusstemperatur

Ausgezeichnete Temperaturbeständigkeit

Niedrige Gate-Ladung

Reduzierte Schaltverluste

Geeignet für den Betrieb bei höheren Frequenzen

N-Kanal

Pb-freie Bleiplattierung

RoHS-Konformität

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 193 A 115 W, 8-Pin ISC017N04NM5ATMA1 TDSON-8 FL

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