Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 13.9 A 83 W, 3-Pin IPD18DP10LMATMA1 TO-252

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RS Best.-Nr.:
235-4854
Herst. Teile-Nr.:
IPD18DP10LMATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

IPD

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

178mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

-42nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Breite

6.22 mm

Höhe

2.41mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon OptiMOS TM P-Kanal-MOSFETs mit 100 V im DPAK-Gehäuse stellen die neue Technologie für Batterie-, Lastschalter- und Verpolungsschutzanwendungen dar. Der Hauptvorteil eines P-Kanal-Geräts ist die Reduzierung der Designkomplexität in Anwendungen mit mittlerer und niedriger Leistungsaufnahme. Seine einfache Schnittstelle zur MCU, das schnelle Schalten sowie die Lawinenbeständigkeit machen ihn für hochwertige anspruchsvolle Anwendungen geeignet. Er ist in normaler Ausführung mit einem großen RDS(on)-Bereich erhältlich und verbessert den Wirkungsgrad bei niedrigen Lasten aufgrund niedriger Qg. Sie wird in Batterie- und Industrieautomatisierung eingesetzt.

Erhältlich in 4 verschiedenen Gehäusen

Großer Bereich

Normale Pegel- und Logikpegel-Verfügbarkeit

Ideal für hohe und niedrige Schaltfrequenz

Einfache Schnittstelle zur MCU

Geringe Designkomplexität

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