Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 9 A 83 W, 3-Pin IPD42DP15LMATMA1 TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 235-4859
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD42DP15LMATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.2.037 | CHF.4.06 |
| 20 - 48 | CHF.1.827 | CHF.3.67 |
| 50 - 98 | CHF.1.701 | CHF.3.41 |
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- RS Best.-Nr.:
- 235-4859
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD42DP15LMATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | IPD | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 420mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | -43nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie IPD | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 420mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs -43nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.41mm | ||
Breite 6.22 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon OptiMOS TM P-Kanal-MOSFETs 150 V im DPAK-Gehäuse stellt die neue Technologie für Batterie-, Lastschalter- und Verpolungsschutzanwendungen dar. Der Hauptvorteil eines P-Kanal-Geräts ist die Reduzierung der Designkomplexität in Anwendungen mit mittlerer und niedriger Leistungsaufnahme. Seine einfache Schnittstelle zur MCU, das schnelle Schalten sowie die Lawinenbeständigkeit machen ihn für hochwertige anspruchsvolle Anwendungen geeignet. Er ist in Logikpegel mit einem großen RDS(on)-Bereich erhältlich und verbessert den Wirkungsgrad bei niedrigen Lasten aufgrund niedriger Qg. Sie wird in Batterie- und Industrieautomatisierung eingesetzt.
Ideal für hohe und niedrige Schaltfrequenz
Widerstandsfähigkeit gegen Stoßentladungen
SMD-Gehäuse mit Industriestandard-Abmessungen
Robuste, zuverlässige Leistung
Erhöhte Sicherheit der Versorgung
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