Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 192 A 245 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
235-4864
Herst. Teile-Nr.:
ISC027N10NM6ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

192A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

ISC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.24mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

91nC

Maximale Verlustleistung Pd

245W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.1mm

Höhe

5.1mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.1 mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS 6-MOSFET für industrielle Anwendungen mit 100 V wurde für Hochfrequenzanwendungen wie Telekommunikation und Servernetzteile entwickelt, ist aber auch die ideale Wahl für andere Anwendungen wie Solar, Elektrowerkzeuge und Drohnen. Im Vergleich zu alternativen Produkten ermöglicht die führende Dünnwafer-Technologie von Infineon erhebliche Leistungsvorteile.

Geringere und weichere Rückgewinnungsladung

Ideal für hohe Schaltfrequenzen

Hohe Lawinenenergie

RoHS-konform

Geringe Leitungsverluste

Niedrige Schaltverluste

Umweltfreundlich

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