Infineon ISC N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 192 A 245 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 235-4864
Herst. Teile-Nr.:: ISC027N10NM6ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon ISC N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 192 A 245 W, 8-Pin TDSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 235-4864
Herst. Teile-Nr.:: ISC027N10NM6ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	192A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	TDSON
	Serie	ISC
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	2.24mΩ
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	91nC
	Maximale Verlustleistung Pd	245W
	Durchlassspannung Vf	1V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	1.1mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	5.1mm
	Länge	6.1mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 192A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße TDSON
	Serie ISC
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.24mΩ
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 91nC
	Maximale Verlustleistung Pd 245W
	Durchlassspannung Vf 1V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 1.1mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 5.1mm
	Länge 6.1mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - ISC027N10NM6ATMA1

Infineon ISC-Serie MOSFET, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 245 W maximale Verlustleistung – ISC027N10NM6ATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-Schalttransistor, der für Leistungsumwandlungs- und Motorantriebsumgebungen entwickelt wurde und einen robusten Betrieb über einen breiten Temperaturbereich und eine Oberflächenmontage bietet, die für kompakte Baugruppen geeignet ist. Er bietet geringe Leitungsverluste und eine hohe Strombelastbarkeit für anspruchsvolle Anwendungen, bei denen Spannungsblockierung und Gate-Steuerung entscheidend sind.

Merkmale und Vorteile:

• 100-V-Ableitstrom ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• 192 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Betrieb mit hoher Belastung
• Rds(on) von 2,24 mΩ minimiert Leitungsverluste für mehr Effizienz
• Die Verlustleistung von 245 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• 91 nC typische Gate-Ladung gleicht Antriebsanforderungen und Schaltgeschwindigkeit aus
• Die Gate-Source-Nennleistung von 20 V ermöglicht einen breiten Gate-Antriebsbereich

Anwendungsbereich

• Geeignet als 100-V-, 192-A-Leistungs-MOSFET für Motorantriebe
• Ideal für Hochstrom-DC/DC-Wandler in kompakten Systemen
• Wird mit Batteriemanagement- und Traktionsumrichterstufen verwendet
• Kann für Leistungsstufen verwendet werden, die niedrige Rds(on)-MOSFETs mit einer Verlustleistung von 245 W erfordern
• Geeignet für Hochtemperatur-MOSFET-Umgebungen von -55 °C bis 175 °C

Welche Befestigungsart wird für diese Komponente verwendet?

Er wird in einem 8-poligen TDSON-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für die Montage auf Leiterplattenebene konzipiert ist.

Welche thermischen Extreme kann dieses Gerät während des Betriebs tolerieren?

Der Betriebsbereich reicht von -55 °C bis 175 °C und ermöglicht den Einsatz bei erhöhten Temperaturen.

Wie hoch ist die Durchlassspannung während der Leitung?

Die Durchlassspannung Vf ist unter Leitungsbedingungen auf 1 V angegeben.

Wie viele Pins bietet dieses Gehäuse für das Leiterplatten-Layout?

Das Gerät verfügt über eine 8-polige Konfiguration für thermische und elektrische Anschlüsse.