Vishay SIB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 30 V / 4.5 A 1 W, 6-Pin PowerPAK SC-75
- RS Best.-Nr.:
- 239-5374
- Herst. Teile-Nr.:
- SIB4317EDK-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- SIB4317EDK-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SC-75 | |
| Serie | SIB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.065Ω | |
| Channel-Modus | P | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±12 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 1.6mm | |
| Breite | 1.6 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PowerPAK SC-75 | ||
Serie SIB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.065Ω | ||
Channel-Modus P | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±12 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 1.6mm | ||
Breite 1.6 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der P-Kanal-MOSFET von Vishay hat einen Ablassstrom von –4,5 A. Er wird für tragbare Geräte wie Smartphones, Tablet-PCs und mobile Computer verwendet.
Typischer ESD-Schutz (MOSFET): 1500 V(HBM)
100 % Rg geprüft
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