Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 12 V / 4.5 A, 6-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 256-7407
- Herst. Teile-Nr.:
- SIA533EDJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.0.546 | CHF.13.52 |
| 50 - 75 | CHF.0.525 | CHF.13.23 |
| 100 - 225 | CHF.0.399 | CHF.10.08 |
| 250 - 975 | CHF.0.399 | CHF.9.92 |
| 1000 + | CHF.0.263 | CHF.6.62 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 256-7407
- Herst. Teile-Nr.:
- SIA533EDJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 12V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.033Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 12V | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.033Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Mosfet-Array N- und P-Kanal von Vishay Semiconductor verfügt über ein SMD- und ein PowerPAK SC-70-6-Zweifachgehäuse.
TrenchFET Power Mosfet
100 % Rg- und UIS-geprüft
Typischer ESD-Schutz N-Kanal 1500 V, P-Kanal 1000 V
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