Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 10.6 A 17.9 W, 6-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 256-7405
- Herst. Teile-Nr.:
- SIA483ADJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.033Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 17.9W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.033Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 17.9W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das P-Kanal-30-V (D-S)-mosfet-iTime-PowerPAK-SC-70-Gehäuse von Vishay Semiconductor ist thermisch verbessert und bietet ausgezeichnete RDS-Qg-Verdienstwerte (FOM)
für Schaltanwendungen, Akkuladung und -verwaltung, Lastschalter, DC, DC-Wandler, Stromverwaltung in batteriebetriebenen, mobilen und tragbaren Geräten.
TrenchFET gen IV P-Kanal-Leistungs-MOSFET
Bietet ausgezeichnete RDS-Qg-Verdienste
Für Schaltanwendungen
100 % Rg-geprüft
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