Vishay SiR Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 171 V / 171 A 132 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
239-5396
Herst. Teile-Nr.:
SiRS700DP-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

171A

Drain-Source-Spannung Vds max.

171V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Serie

SiR

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0035Ω

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

132W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

86nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

6mm

Breite

5 mm

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET TrenchFET von Vishay hat einen Ablassstrom von 171 A. Er wird in synchrone Gleichrichtung, Primärseitigen Schaltern, DC/DC-Wandlern und Motorantriebsschaltern eingesetzt.

Sehr niedriger RDS x Qg-Fat-of-Merit (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Qoss FOM

100 % Rg und UIS-geprüft

Verwandte Links