Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 60 V / 37 A 333 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- RS Best.-Nr.:
- 239-8639
- Herst. Teile-Nr.:
- SIJH600E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 239-8639
- Herst. Teile-Nr.:
- SIJH600E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 37A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK (8x8L) | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.01Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 333W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 141nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 7.9 mm | |
| Länge | 8mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 37A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PowerPAK (8x8L) | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.01Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 333W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 141nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 7.9 mm | ||
Länge 8mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Vishay TrenchFET® ist ein N-Kanal-MOSFET der Gen IV-Leistung, der bei 60 V und 175 °C arbeitet. Dieser MOSFET wird für Batteriemanagement, Motorantriebssteuerung und synchrone Gleichrichtung verwendet.
Vollständig bleifreies Gerät
Niedriger Schalt- und Leistungsverlust
UIS-geprüft
Kleine Abmessungen
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