Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 10.3 A 81 W, 4-Pin LFPAK88
- RS Best.-Nr.:
- 243-4439
- Herst. Teile-Nr.:
- BUK7S2R0-40HJ
- Marke:
- Nexperia
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| 5 - 45 | CHF.1.985 | CHF.9.93 |
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| 100 - 245 | CHF.1.449 | CHF.7.24 |
| 250 - 995 | CHF.1.418 | CHF.7.08 |
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- 243-4439
- Herst. Teile-Nr.:
- BUK7S2R0-40HJ
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | LFPAK88 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.6mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße LFPAK88 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.6mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia mit Kfz-Zulassung verwendet die neueste Trench 9 Low Ohm Super Junction-Technologie und ist in einem Kupferklemmen-LFPAK88-Gehäuse untergebracht. Dieses Produkt wurde vollständig entwickelt und qualifiziert, um die Anforderungen von AEC-Q101 zu erfüllen und so eine hohe Leistung und Zuverlässigkeit zu bieten.
-55 °C bis +175 °C Nennwert geeignet für thermisch anspruchsvolle Umgebungen
Das dünne Gehäuse und der Kupferclip ermöglichen dem LFPAK88 einen hohen thermischen Wirkungsgrad
Erhöhte maximale Strombelastbarkeit und hervorragende Stromverteilung
Niedrige Quelleninduktivität
Niedriger thermischer Widerstand Rth
Visuelle (AOI) Lötkontrolle, keine Notwendigkeit für teure Röntgengeräte
Leichte Lotbenetzung für gute mechanische Lötverbindung
Reduzierter Zellabstand und Super-Junction-Plattform ermöglichen niedrigere RDSon bei gleicher Grundfläche
12-V-Kfz-Systeme,
48-V-DC/DC-Systeme (auf der 12-V-Sekundärseite)
Motoren, Lampen und Magnetsteuerung mit höherer Leistung,
Verpolungsschutz,
Hochleistungs-Leistungsschaltung
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