Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 6.1 A 81 W, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 244-2262
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN50R2K0CEATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.378.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 27. Januar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | CHF.0.126 | CHF.381.15 |
| 6000 - 6000 | CHF.0.126 | CHF.362.25 |
| 9000 + | CHF.0.116 | CHF.352.80 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 244-2262
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN50R2K0CEATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 75V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | IPN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 75V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie IPN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die CoolMOS™ CE Power MOSFETs von Infineon sind eine Technologieplattform für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction-Prinzip (SJ) entwickelt wurden und die Anforderungen der Verbraucher erfüllen sollen.
Äußerst geringe Verluste aufgrund der sehr niedrigen FOM Rdson Qg und Eoss.
Sehr hohe Pendelhärte.
Einfach zu bedienen/fahren.
Pb-freie Beschichtung, halogenfreie Formmasse.
Qualifiziert für Standardanwendungen.
Verwandte Links
- Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 6.1 A 81 W, 3-Pin IPN50R2K0CEATMA1 SOT-223
- Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 950 V / 6.1 A 81 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 950 V / 6.1 A 81 W, 3-Pin IPN95R3K7P7ATMA1 SOT-223
- Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V / 3 A 81 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V / 6 A 81 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V / 100 A 81 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V / 3 A 81 W, 3-Pin IPN60R2K0PFD7SATMA1 SOT-223
- Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V / 100 A 81 W, 3-Pin IPN60R360PFD7SATMA1 SOT-223