DiodesZetex Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung 2.5 W, 8-Pin PowerDI5060-8

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Herst. Teile-Nr.:
DMT69M9LPDW-13
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PowerDI5060-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0168Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

33.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der DiodesZetex ist ein zweifacher N-Kanal-Verbesserungs-MOSFET. Er wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem TO252-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Seine zu 100 % ungeklemmte induktive Schaltung sorgt für eine zuverlässigere und robustere Endanwendung. Er hat einen Betriebstemperaturbereich von –55 °C bis +150 °C.

Die maximale Ablass-Quellenspannung beträgt 60 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±16 V. Sie bietet einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit. Sie bietet eine benetzbare Flanke für verbesserte optische Inspektion. Wärmeeffizientes Gehäuse, ideal für kühler laufende Anwendungen

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