Infineon BSS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 0.28 A 81 W, 3-Pin SOT-323
- RS Best.-Nr.:
- 250-0554
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS209PWH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.1.16
Auf Lager
- Zusätzlich 10’930 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.116 | CHF.1.19 |
| 100 - 490 | CHF.0.116 | CHF.1.12 |
| 500 - 990 | CHF.0.074 | CHF.0.70 |
| 1000 - 2490 | CHF.0.063 | CHF.0.64 |
| 2500 + | CHF.0.053 | CHF.0.55 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 250-0554
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS209PWH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 0.28A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | BSS | |
| Gehäusegröße | SOT-323 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.28A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie BSS | ||
Gehäusegröße SOT-323 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der P-Kanal-Transistor mit Enhancement-Modus von Infineon wird häufig in Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz eingesetzt. Das Produkt ist Avalanche-getestet und halogenfrei. Dieser Baustein ist ein OptiMOS-P Small-Signal-Transistor mit einem Superlogikpegel von 2,5 V (Nennleistung). Die Betriebstemperatur beträgt 150 °C. Das Produkt ist Avalanche- und dv/dt-getestet. Das Produkt ist Pb-frei mit Bleibeschichtung und halogenfrei.
VDS ist -20 V, RDS(on), Max. 550 mΩ und Id ist -0,63 A
Maximale Verlustleistung ist 500 mW
Verwandte Links
- Infineon BSS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 0.28 A 81 W, 3-Pin SOT-323
- Infineon BSS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 0.28 A 81 W, 3-Pin SOT-323
- Infineon BSS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 0.28 A 81 W, 3-Pin BSS138WH6327XTSA1 SOT-323
- Infineon BSS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 0.15 A 81 W, 3-Pin SOT-23
- Infineon BSS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 0.23 A 81 W, 3-Pin SOT-23
- Infineon BSS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 0.15 A 81 W, 3-Pin BSS315PH6327XTSA1 SOT-23
- Infineon BSS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 0.23 A 81 W, 3-Pin BSS306NH6327XTSA1 SOT-23
- Infineon BSS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 0.54 A 81 W, 3-Pin SOT-23