Infineon BSS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2.30 A 81 W, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 250-0555
Herst. Teile-Nr.:: BSS306NH6327XTSA1
Marke:: Infineon

Infineon BSS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2.30 A 81 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:: 250-0555
Herst. Teile-Nr.:: BSS306NH6327XTSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	2.30A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Gehäusegröße	SOT-23
	Serie	BSS
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	57mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	81W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	80nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	1V
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	AEC-Q101

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	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.30A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Gehäusegröße SOT-23
	Serie BSS
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 57mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 81W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf 1V
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard AEC-Q101

MOSFET der BSS-Serie von Infineon, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 2,30 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSS306NH6327XTSA1

Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in kompakten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und eignet sich für anspruchsvolle Umgebungen, die geringe Leitungsverluste und eine moderate Schaltleistung erfordern. Das Gehäuse unterstützt die automatische Platzierung und ist mit typischen Thermomanagement-Ansätzen auf Board-Ebene kompatibel.

Merkmale und Vorteile:

• 57 mΩ RDS(on) reduziert Leitungsverluste beim Schalten
• 80 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Schaltübergänge
• Die Verlustleistung von 81 W unterstützt eine hohe Leistungsaufnahme im Einzelpaket
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht Flexibilität bei der Auswahl von Gate-Antrieben
• Die Nennleistung von -55 °C bis +150 °C gewährleistet den Betrieb bei extremen Temperaturen

Anwendungsbereich

• Geeignet für das Schalten von Sensoren in Kraftfahrzeugen
• Ideal für kompakte DC-Stromverwaltungsschaltkreise
• Wird mit Niederspannungs-Motortreibern und Lastschaltern verwendet
• Kann für Batterieschutz- und Verteilermodule verwendet werden
• Geeignet für die oberflächenmontierte Stromversorgungsregelung

In welchem Temperaturbereich kann er zuverlässig funktionieren?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C für Hochtemperaturanwendungen ausgelegt.

Wie wirkt sich die Gate-Spannungsbegrenzung auf die Antriebsauswahl aus?

Das Gate kann bis zu 20 V tolerieren, sodass die Treiberkonstruktionen diese Spannung nicht überschreiten sollten, um Gate-Spannungen zu vermeiden.

Welches Gehäuse und welche Befestigungsart wird verwendet?

Er wird in einem SOT-23-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist und für die automatisierte Leiterplattenmontage geeignet ist.

Welche Leitungsleistung kann im eingeschalteten Zustand erwartet werden?

Das Gerät weist einen maximalen Drain-Source-Widerstand von 57 mΩ auf, wodurch der Spannungsabfall unter Last gesenkt wird.

Ist sie für geregelte Verluststromszenarien geeignet?

Er unterstützt eine maximale Verlustleistung von 81 W und ermöglicht so den Einsatz in Einzelgeräten mit mittlerer Leistungsaufnahme.