Vishay Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 50 A 42 W IRFZ44PBF JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 256-7325
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ44PBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.10.765
Auf Lager
- Zusätzlich 135 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | CHF.2.153 | CHF.10.77 |
| 10 - 20 | CHF.1.953 | CHF.9.79 |
| 25 - 95 | CHF.1.733 | CHF.8.68 |
| 100 - 245 | CHF.1.386 | CHF.6.92 |
| 250 + | CHF.1.355 | CHF.6.79 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 256-7325
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ44PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.028Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 42W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.028Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 42W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay Semiconductor bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für gewerbliche und industrielle Anwendungen mit einer Verlustleistung von ca. 50 W bevorzugt. Der niedrige Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220AB-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der gesamten Branche bei.
Dynamische dV/dt-Nennleistung
175 °C Betriebstemperatur
Schnelles Schalten
Einfache Parallelstellung
Einfache Antriebsanforderungen
Verwandte Links
- Vishay N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 50 A TO-220AB
- Vishay N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 50 A, 3-Pin TO-220AB
- Vishay N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 50 A 150 W, 3-Pin TO-220AB
- Vishay N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 17 A 60 W, 3-Pin TO-220AB
- Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 60 A TO-220AB
- Vishay N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 10 A 43 W, 3-Pin TO-220AB
- Vishay N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 30 A 88 W, 3-Pin TO-220AB
- Vishay N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 120 A 375 W, 3-Pin TO-220AB