Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 190 V / 1.5 A, 6-Pin SIB452DK-T1-GE3 PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 256-7409
- Herst. Teile-Nr.:
- SIB452DK-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- SIB452DK-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 190V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.033Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 190V | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.033Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 0.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay Semiconductor mit seinem neuen thermisch verbesserten PowerPAK SC-75-Gehäuse verfügt über eine kleine Abmessungsfläche und einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand.
TrenchFET Power Mosfet
Anwendung ist Boost-Wandler für tragbare Geräte
Blei (Pb)-frei und halogenfrei
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