Teile-Nr.

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 60 A PowerPAK SO-8

RS Best.-Nr.:: 256-7428
Herst. Teile-Nr.:: SIRA10DP-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 60 A PowerPAK SO-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

CHF.978.00

Vorübergehend ausverkauft

Versand ab 15. April 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
3000 +	CHF.0.326	CHF.973.35

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 256-7428
Herst. Teile-Nr.:: SIRA10DP-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	60A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Gehäusegröße	PowerPAK SO-8
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.0095Ω
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Gehäusegröße PowerPAK SO-8
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0095Ω
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIRA10DP-T1-GE3

Der Transmosfet N-Kanal von Vishay Semiconductor 30 V, 35,9 A, 8-poliger PowerPAK SO T, R. Seine Anwendungen sind synchrone Gleichrichtung, DC, DC und VRMs mit hoher Leistungsdichte und integrierte DC, DC.

TrenchFET Power Mosfet

100 % Rg- und UIS-geprüft

Niedriger Qg für hohen Wirkungsgrad

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 60 A PowerPAK SO-8

Verwandte Links