Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 33 A SIRA18DP-T1-GE3 PowerPAK SO-8

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RS Best.-Nr.:
256-7433
Herst. Teile-Nr.:
SIRA18DP-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

33A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0095Ω

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-MOSFET von Vishay Semiconductor umfasst Anwendungen wie DC, DC-Umwandlung, Batterieschutz, Lastschaltung und DC-Wechselrichter.

TrenchFET gen IV Power Mosfet

100 % Rg- und UIS-geprüft

Niedriger Qg für hohen Wirkungsgrad

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