Infineon Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 131 A 200 W TO-263

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RS Best.-Nr.:
257-9275
Herst. Teile-Nr.:
IRF1405STRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

131A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.3mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

200W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

170nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist das 55-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem D2-Pak-Gehäuse.

Planare Zellenstruktur für breite SOA

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Kann wellenförmig gelötet werden

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