Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 257-9359
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB7440PBF
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 1.061 | CHF 53.03 |
| 100 - 200 | CHF 0.848 | CHF 42.42 |
| 250 - 450 | CHF 0.798 | CHF 39.79 |
| 500 - 950 | CHF 0.747 | CHF 37.12 |
| 1000 + | CHF 0.687 | CHF 34.49 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-9359
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB7440PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.50mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.50mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur +175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRFB-Serie von Infineon ist ein 40-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem TO 220-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
Hoher Nennstrom
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz
Weicheres Gehäuse-Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation
Durchgangsbohrungs-Leistungsgehäuse nach Industriestandard
Breites Portfolio verfügbar
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