Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 100 A 100 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 257-9373
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH5302TRPBF
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.0.588 | CHF.2.96 |
| 50 - 120 | CHF.0.525 | CHF.2.60 |
| 125 - 245 | CHF.0.483 | CHF.2.43 |
| 250 - 495 | CHF.0.452 | CHF.2.25 |
| 500 + | CHF.0.326 | CHF.1.65 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-9373
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH5302TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.5mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 29nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6 mm | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.5mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 29nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6 mm | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRFH-Serie von Infineon ist ein 30-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem PQFN 5x6-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz
Weicheres Gehäuse-Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation
Breites Portfolio verfügbar
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